Deskripsyon pou eleman chofaj ED kalite sic
Konpozan chofaj lineyè carbure Silisyòm HONGYUAN yo (variante ED/Straight/ROD/RR/GD) yo fabrike soti nan matyè premyè SiC prim -klas vèt atravè teknoloji rekristalizasyon avanse. Nwayo tèmik la reyalize paramèt dansite yo rive nan 2.8g / cm³ pandan y ap kenbe papòt operasyonèl jiska 1625 degre (2957 degre F). Prezante dimansyon transvèsal ki konsistan, eleman sa yo demontre entegrite estriktirèl eksepsyonèl ansanm ak rezistans siperyè oksidasyon ak degradasyon chimik, ki fèt espesyalman pou kondisyon tèmik ekstrèm. Apwopriye pou founo chanm, fou laboratwa rechèch, ak sistèm pwosesis kontinyèl, yo bay pri -pèfòmans tèmik efikas pou aplikasyon endistriyèl.
Paramèt pou eleman chofaj ED kalite sic
Rezime spesifikasyon:
| Kategori | Paramèt teknik |
|---|---|
| Konpozisyon | 99% + pite Silisyòm carbure baz materyèl |
| Modèl Variants | ED / lineyè / ROD / RR / GD seri |
| Antre elektrik | Konpatib ak sistèm pouvwa 110-480V |
| Faktori | Vib ki te fòme ak presizyon-trete atravè re-kristalizasyon Silisyòm |
| Dimansyon | 8-65mm ranje kwa-seksyon dyamèt |
| Kapasite tèmik | Tanperati maksimòm operasyonèl 1625 degre (2957 degre F) |
| Pwoteksyon anbake | Anbalaj milti-kouch: chòk-kim absòbe + ekspòtasyon-ka bwa klas |
| Itilizasyon Endistriyèl | Sistèm tèmik pou ekipman pwosesis endistriyèl |
| Rezo sipò | Enfrastrikti sèvis teknik atravè lemond |
Paramèt gwosè:
| Dyamèt (OD, mm) | Zòn cho (HZ, mm) | Zòn Fwad (CZ, mm) | Longè total (OL, mm) | Rezistans (Ω) |
| 12 | 150-300 | 150-200 | 450-700 | 1.85-3.15 |
| 14 | 200-400 | 200-250 | 600-900 | 1.22-2.40 |
| 16 (5/8") | 300-600 | 250-350 | 800-1100 | 1.60-3.00 |
| 20 (3/4") | 300-900 | 300-400 | 1100-1500 | 1.14-3.10 |
| 25 (1") | 300-1000 | 300-450 | 900-1600 | 0.75-2.40 |
| 30 | 400-1100 | 300-500 | 1000-1800 | 0.70-1.82 |
| 35 | 400-1700 | 300-400 | 1200-2300 | 0.68-2.89 |
| 40 | 500-1700 | 300-400 | 1300-2300 | 0.60-2.02 |
| 45 (1.75") | 508-2438 | 280-420 | 1067-3277 | 0.36-1.66 |
| 50 | 1000-2000 | 400-400 | 1800-2800 | 0.73-1.46 |
| 54 (2.125") | 508-2438 | 305-420 | 991-3277 | 0.30-1.40 |
Nòt:
1. tolerans rezistans: matche ansanm yo +/-5%, ranje pou yon chajman dwe +/-10%, chajman pou chajman varyasyon se +/-20%.
2. Pwodwi ak fòm espesyal yo fabrike sou demann kliyan an.
Pwopriyete elektrik eleman yo:
Enfòmasyon sou lòd pou HONGYUAN ED kalite eleman chofaj sic
Lè w ap bay lòd pou eleman chofaj carbure Silisyòm kalite ED, tanpri bay paramèt sa yo:
|
Modèl |
Dyamèt ekstèn |
Longè pati chofaj |
Longè fen frèt |
Longè konplè |
|
ED |
OD, mm |
HZ, mm |
CZ, mm |
OL, mm |
E.g:
Kalite ED, OD=35mm, HZ=1500mm, CZ=400mm,
OL=2300mm, Rezistans 2.5Ω
Eksprime kòm:
Hongyuan Silca ED, 35/1500/2300/2.5Ω
Remak: Kontakte nou pou lòt espesifikasyon oswa personnalisation.
Desen detay pou eleman chofaj ED kalite sic
Aplikasyon/Avantaj/Anbalaj pou HONGYUAN ED kalite eleman chofaj sic
Hongyuan lineyè eleman chofaj carbure Silisyòm opere efektivman nan anviwònman atmosferik oswa kontwole nan 600-1625 degre, k ap sèvi plizyè sektè endistriyèl:
• Sistèm pwosesis tèmik:Ideyal pou chanm rechèch ak aplikasyon pou chofaj endistriyèl kontra enfòmèl ant
• Ekipman pwosesis kontinyèl:Esansyèl pou pwodiksyon teknik seramik ak konsolidasyon poud metal
• Faktori Elektwonik:Kritik pou pwosesis wafer ak chofaj pake mikwo-elektwonik
• Pwodiksyon materyèl enèji:Pèmèt tretman tèmik nan eleman elektwòd ityòm-ion
• Sentèz materyèl avanse:Kenbe inifòmite tanperati pou preparasyon materyèl luminesan ak depoze envestisman
• Pwosesis materyèl espesyal:Sipòte kondisyone tèmik pou leman pèmanan ak konpozan seramik Enjenieri
Avantaj HONGYUAN ED Kalite Silisyòm Carbide Heaters:
• Pèfòmans tèmik: Li kenbe tèt ak tanperati operasyonèl ki rive nan 1625 degre, demontre efikasite radyasyon enfrawouj 5-10 fwa pi plis pase alyaj konvansyonèl nikèl-kwòm pou amelyore transmisyon tèmik.
• Entegrite estriktirèl: Kenbe rezistans koube nan 100-120MPa ak tolerans vibrasyon eksepsyonèl ak estabilite dimansyon anba kondisyon ekstrèm tèmik.
• Dirab anviwònman an: Konstriksyon carbure Silisyòm dans (2.8 g/cm³) bay pwoteksyon serye kont sibstans korozivite ki gen ladan medya asid ak alkalin.
• Sèvis lavi: Rezistans chòk tèmik eksepsyonèl konbine avèk inertness chimik asire lavi ki dire lontan operasyonèl ak kondisyon antretyen minim.
• Benefis Ekonomik ak Ekolojik: Kapasite transfè chalè rapid diminye konsomasyon enèji pandan y ap konfòme yo ak estanda fabrikasyon dirab.
• Sipò mondyal: Rezo distribisyon entènasyonal ki kouvri 15+ peyi yo, ki sipòte pa 300+ tòn kapasite pwodiksyon anyèl ak lojistik rapid 7-14 jou.
Metòd koneksyon pou eleman chofaj ED kalite sic
Konfigirasyon entèfas elektrik:Kontak tèminal yo plake ak kouch aliminyòm pou minimize rezistans elektrik ak optimize transfè aktyèl la.
Metodoloji Koneksyon:Kondiktè aliminyòm plat-trikote ak Fastener-chaje prentan etabli junctions an sekirite, akomode tou de achitekti fil elektrik yon sèl-fini ak doub-.
Gid operasyonèl:Seleksyon vòltaj (110-480V) ak topoloji sikwi (seri/paralèl/polifaz) ta dwe aliman ak espesifikasyon chanm tèmik. Mete an aplikasyon sistèm regilasyon redresman Silisyòm kontwole amelyore jesyon tanperati ak pwolonje dire sèvis la.
Enstalasyon Gid pou eleman chofaj ED kalite sic
Enstalasyon ak Gid Operasyon pou Konpozan chofaj lineyè Silisyòm Carbide:
• Verifikasyon anvan-enstalasyon:Vizyèlman enspekte tout eleman pou entegrite estriktirèl anvan asanble, konfime absans ka zo kase sifas oswa domaj fizik.
• Konfigirasyon aliye:Konpatib ak tou de oryantasyon vètikal ak orizontal, kenbe estabilite estriktirèl nan tanperati ki wo san sistèm sipò oksilyè.
• Sekirize metodoloji:Sèvi ak aparèy espesyalize retansyon seramik oswa mekanis blocage koutim pou anpeche kontak metalik dirèk ak segman chofaj.
• Entegrasyon elektrik:Konekte ak sous kouran 110-480V lè l sèvi avèk kondiktè plane aliminyòm ak tèminal prentan ede, asire enpedans matche atravè tout sikui yo.
• Jesyon tèmik:Prezève bon jan koule lè alantou konpozan enstale pou elimine tach cho lokalize epi asire dissipation chalè inifòm.
• Pwotokòl Aktivasyon Premye:Aplike gradye eskalasyon pouvwa pandan operasyon inisyal pou anpeche akimilasyon estrès tèmik.
• Antretyen Prevantif:Detanzantan egzamine tèminal aliminyòm -plake ak pyès ki nan konpitè fixation pou entegrite koneksyon ak degradasyon anviwònman an.
Kondisyon pwofesyonèl:Teknisyen ki kalifye yo dwe egzekite tout pwosedi enstalasyon yo. Dokimantasyon teknik konplè ki disponib sou demann.
Sijesyon konsepsyon pou eleman chofaj ED kalite sic
Gid Jeni pou Optimizasyon Eleman chofaj lineyè SiC:
• Konfigirasyon Zòn tèmik:Segman chofaj aktif yo ta dwe jisteman koresponn ak dimansyon enteryè chanm san yo pa pwolonje nan kouch izolasyon yo anpeche degradasyon materyèl.
• Espesifikasyon Seksyon Tèminal:Pati ki pa-chofaj yo dwe pwolonje pi lwen pase mi founo yo sou 50-150mm pou akomode koneksyon elektrik ak akomode ekspansyon tèmik.
• Paramèt konsepsyon Ouvèti:Bay ouvèti aliye 1.4-1.6 fwa pi gwo pase dyamèt tèminal pou pèmèt mouvman tèmik san restriksyon epi anpeche estrès mekanik.
• Kondisyon pou espas radyasyon:Kenbe yon distans minimòm de 3x dyamèt eleman soti nan materyèl trete oswa sifas refractory, ak 4x dyamèt sant-a-antre espas pou inifòmite tèmik optimal.
• Sistèm Règleman Pwosesis:Aplike mekanis kontwòl pwopòsyonèl -entegral- pou jesyon tèmik egzat ak lonjevite operasyon amelyore.
• Paramèt fonksyònman anviwònman an:Ajiste papòt maksimòm tanperati selon kondisyon atmosferik (anviwònman oksidasyon/diminye). Konsilte depatman jeni nou an pou pwotokòl konfigirasyon espesifik atmosfè-.
Sèvis Customized pou HONGYUAN ED kalite eleman chofaj sic
HONGYUAN bay sèvis personnalisation konplè pou eleman chofaj lineyè (kalite ED) Silisyòm carbure:
• Adaptasyon dimansyon:Modifye mezi ekstèn ak pwopòsyon zòn tèmik pou aliman ak kondisyon espesifik achitekti founo.
• Optimizasyon paramèt elektrik:Adapte karakteristik rezistans pou konplete konfigirasyon sistèm elektrik 110-480V.
• Tretman Sifas Pwoteksyon:Aplike kouch espesyalize pou amelyore durability operasyonèl nan anviwònman korozif oswa ekstrèm tèmik.
• Faktori fleksibilite:Sipòte fabrikasyon ekipman orijinal ak pwodiksyon volim, disponiblite echantiyon, kantite lòd fleksib, ak sik livrezon 7-30 jou.
• Konsiltasyon Jeni:Delivre konsèy teknik pwofesyonèl konplete pa analiz tèmik enfòmatik pou entegrasyon sistèm.
HONGYUAN espesyalize nan solisyon chofaj avanse carbure Silisyòm pou aplikasyon endistriyèl mondyal, amelyore pèfòmans nan pwodiksyon seramik, fabrikasyon elektwonik, sistèm depo enèji, ak pwosesis tèmik. Kontakte espesyalis nou yo pou espesifikasyon pwodwi, sèvis jeni koutim, oswa echantiyon tès gratis pou ogmante kapasite pwosesis tèmik ou yo.
Pwodwi pou Telefòn pou ED kalite sic chofaj eleman
FAQ pou ED kalite sic chofaj eleman
K: Ki tanperati opere maksimòm pou eleman chofaj carbure Silisyòm kalite ED-?
A:Eleman estanda ED-tip opere kontinyèlman nan 1600 degre nan lè a, ak kapasite kout -tèm jiska 1650 degre depann sou kondisyon atmosferik yo.
K: Kouman pou mwen detèmine longè zòn frèt ki apwopriye a pou konsepsyon founo mwen an?
A:Longè zòn frèt yo ta dwe matche ak epesè miray founo plis 50-150mm ekstansyon pou koneksyon elektrik ak konpansasyon ekspansyon tèmik.
K: Ki ranje vòltaj ki konpatib ak eleman chofaj sa yo?
A:Eleman yo ka Customized pou sistèm 110-480V, ak optimize rezistans pou konfigirasyon pouvwa espesifik.
K: Èske ou ofri kouch pwoteksyon pou anviwònman korozivite?
A:Kouch espesyalize anti-oksidasyon ak korozyon- ki reziste yo disponib pou operasyon nan atmosfè difisil tankou konpoze idwojèn ak souf.
K: Ki tan livrezon tipik pou espesifikasyon koutim?
A:Tan pwodiksyon pwodiksyon varye ant 7-30 jou depann sou konpleksite personnalisation, ak opsyon rapid ki disponib.
K: Ki jan yo ta dwe espacement eleman pou pèfòmans optimal?
A:Kenbe espas minimòm 4x dyamèt sant-a-santre ak 3x dyamèt distans soti nan mi/materyèl founo yo.
K: Ki sipò teknik ou bay pandan enstalasyon?
A:Nou ofri sèvis simulation tèmik, konsèy metodoloji koneksyon, ak optimize paramèt operasyonèl atravè ekip jeni nou an.
Baj popilè: ed kalite sic chofaj eleman, Lachin ed kalite sic chofaj eleman manifaktirè, faktori
